Transistoren van halfgeleidende inkt
nanotubes
Een onderzoeksteam van DuPont en Cornell University is er in geslaagd een halfgeleidende inkt te maken met eigenschappen die geschikt zijn voor de productie van plastic elektronische componenten, zoals transistoren en lichtgevoelige materialen voor zonnecellen.
De inkt bevat koolstof nanobuisjes met alleen halfgeleidende eigenschappen. Sinds de ontdekking van koolstof nanobuisjes in 1990 worden deze gezien als een materiaal dat nieuwe ontwikkelingen in de elektronica-industrie mogelijk maakt. De toepassing werd tot nu toe echter beperkt door het feit dat de productie van koolstof nanobuisjes alleen mogelijk was in de vorm van een mengsel van zowel geleidende als halfgeleidende buisjes.
Het bleek wel mogelijk te zijn de buisjes te scheiden met behulp van DNA, maar deze methode was niet geschikt voor grootschalige toepassing. De onderzoekers hebben nu een chemisch proces gevonden dat de geleidende nanobuisjes zodanig ‘bewerkt’ dat deze niet meer geleiden. Het is niet meer nodig om de geleidende buisjes fysiek uit het mengsel te halen en in het mengsel blijven alleen de halfgeleidende nanobuisjes actief. Met de nieuwe methode is het mogelijk tegen relatief lage kosten grote hoeveelheden halfgeleidende inkt te produceren.
Het onderzoek werd op 9 januari 2009 gepubliceerd in Science. Meer info:
http://www2.dupont.com/Media_Center/en_US/daily_news/january/article20090109.html