HF-transistoren met ESD-bescherming

HF-transistoren met ESD-bescherming

Infineon introduceert een drietal nieuwe HF-transistoren die zijn voorzien van een ingebouwde effectieve ESD-bescherming tot 2 kV

Dit betekent een verbetering met een factor tien ten opzichte van de vorige generatie.

De transistoren zijn zeer geschikt voor toepassing in LNA’s (Low Noise Amplifiers) in mobiele communicatieapparatuur, zoals mobiele telefoons, WLAN-routers, WiMAX- en GPS-modules en actieve antennes.

Door de inzet van de nieuwe transistoren bestaat er minder kans op beschadiging van draadloze communicatieapparatuur zoals WLAN-routers. 

Om het energieverbruik in mobiele apparatuur te beperken worden transistoren met kleine afmetingen toegepast die een laag stroomverbruik hebben en kunnen werken met een lage voedingsspanning.

Door de geringe afmetingen zijn deze echter gevoeliger voor ESD dan transistoren met grotere afmetingen. Dit probleem wordt nu door de ingebouwde ESD-bescherming opgelost. De bipolaire Si-Ge-transistoren kunnen een maximum ingangsvermogen van 20 dBm verwerken en hebben een laag ruisgetal (NFmin) van 0,6 dB bij 2,4 GHz. De versterking ligt bij deze frequentie tussen 23 en 26 dB.

De nieuwe types BFP640ESD, BFP720ESD en BFP740ESD worden geleverd in dezelfde SOT343-behuizing als de vorige generatie om gemakkelijk te kunnen upgraden, en in een superplatte TSFP-4-behuizing voor toepassing in nieuwe ontwikkelingen.

De productie in grote aantallen start deze maand.  Meer info:
www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2010/INFIMM201007-057.html