Na de beeldschermen gaan nu ook de transistors 3d: Intel begint met de productie van haar Tri-Gate transistor. Deze driedimensionale transistor heeft, zoals de naam al aangeeft, niet één, maar drie zogenoemde gates. Bij field effect transistors, die in hedendaagse elektronica worden toegepast, kan door het variëren van de elektrische spanning op een gate de geleiding van de halfgeleider beïnvloed worden.
De drie gates op de nieuwe transistors zijn gevormd als een vin en leveren meer controle over de spanning die erdoor gaat. Hierdoor kan er meer stroom door de transistor wanneer deze in de ‘aan’-positie staat, wat leidt tot betere prestaties. In de ‘uit’-positie gaat er juist minder stroom door dan bij zijn tweedimensionale tegenhanger. Bovendien is de spanning over de gates bij de 3d-transistor lager. Deze laatste twee eigenschappen zorgen ervoor dat de Tri-Gate transistor energiezuiniger is. Bovendien kunnen ze door hun vorm dichter op elkaar in apparaten worden geplaatst.
De 3d-transistors zullen volgens Intel in productie slechts enkele procenten duurder zijn dan conventionele transistors.