Van veelgebruikte IRF N-channel MOSFETs heb ik de belangrijkste eigenschappen
eens op een rijtje gezet. Hopenlijk een hulp bij het zoeken van de juiste FET voor je MF/HF eindtrap.
FET Id Vds Rds Cin
A V ohm pF
===================================
IRF510 5,6 100 0,54 200
IRF520 9,7 100 0,2 330
IRF530 14 100 0,14 600
IRF540 33 100 0,04 890
IRF610 3,3 200 1,5 200
IRF620 7 200 1,2 460
IRF630 9 200 0,3 960
IRF640 18 200 0,15 1850
IRF710 2 400 3,6 200
IRF730 7 400 1 620
IRF740 10 400 0,55 1400
De IRFs eindigend op IRFx10 hebben de kleinste ingangscapaciteit: 200 pF
Die kun je het best in eindtrappen tot 15 MHz gebruiken. Dat hebben we
destijds met de BITX20 ook gezien.
Ik ben momenteel op 500 kHz aan het experimenteren en heb daar de IRF520 en IRF620 geprobeerd. Beide werken prima op die lage frequentie.
De ingangscapaciteit wordt vaak gespecificeerd bij Vds=25V en Vgs=0V.
NB: Ik heb de waarden uit verschillende internetbronnen gehaald (die elkaar
soms tegenspraken). Het blijven (max) richtwaarden.