Nog compactere computerchips met grote mogelijkheden

3d-transistorOnderzoekers in de Verenigde Staten hebben dunnere, compactere computerchips gemaakt met grote mogelijkheden.

 

Dichtere en krachtigere computerchips zijn binnenkort mogelijk dankzij ontwikkelingen in een laboratorium van het Massachusetts Institute of Technology (MIT). Onderzoekers daar hebben een manier ontwikkeld om te werken met 2D-materialen die zo dun zijn dat ze niet meer dan drie atomen dik zijn. Door ze bovenop een volledig gefabriceerde siliciumchip te leggen, kunnen ze een grotere dichtheid creëren.

Volgens de MIT-nieuwswebsite leidt deze groei- en fabricagetechnologie bij lage temperatuur niet tot schade aan de chip. Schade was een groot probleem tijdens eerdere pogingen om deze integratie bovenop een silicium CMOS-wafer te bereiken, omdat het proces gewoonlijk temperaturen van 600 graden Celsius vereist. Temperaturen boven de 400 graden Celsius kunnen ervoor zorgen dat de transistors en circuits kapot gaan.

De nieuwswebsite meldde ook dat deze technologie het groei- en integratieproces op een 8-inch wafer verkort van meer dan een dag tot minder dan een uur. Een verkorte groeitijd wordt door onderzoekers gezien als bijzonder aantrekkelijk voor industriële fabricages vanwege de efficiëntie.

Onderzoekers zeiden ook dat ze het gebruik van dit proces willen onderzoeken voor flexibele oppervlakken zoals textiel, polymeren of papier, waardoor het vooruitzicht wordt vergroot om halfgeleiders te integreren in kleding, papieren notitieboekjes en andere alledaagse voorwerpen.