Halfgeleiderfabrikant NXP is bijzonder trots op zijn nieuwste power-HF-transistor met het typenummer BLF578XR, die in staat is om in zijn eentje maar liefst 1,2 kW HF-uitgangsvermogen te leveren. Deze extreem stabiele 1.200 W HF-MOSFET is bestand tegen kortsluiting en open uitgang.
De nieuwe transistor is speciaal ontworpen voor gebruik in de uitgangstrap van HF-vermogensversterkers in het bereik van 10…500 MHz. Zelfs onder de meest bizarre omstandigheden is deze transistor vrijwel niet stuk te krijgen.
NXP heeft een demo-video van de MOSFET in een testopstelling gemaakt. In deze video is te zien hoe bij een met deze transistor uitgeruste versterker tijdens bedrijf de belasting wordt verwijderd en de uitgang zelfs direct kortgesloten wordt. Ook wordt getoond hoe de MOSFET zich bij een SWR van slechter dan 1:55 gedraagt. De BLF578XR wordt er niet koud of warm van, hij blijft gewoon zijn werk doen. Een typische toepassing voor de nieuwe transistor is bijvoorbeeld een stuurtrap voor industrie-lasers.
Meer info:
http://www.nxp.com/#/pip/pip=[pip=BLF578XR]|pp=[t=pip,i=BLF578XR]
YouTube-Video: