Efficiënte powertransistor van galliumnitride
Onderzoeker Junxia Shi van de Cornell University heeft een zeer efficiënte vermogenstransistor gemaakt die is gebaseerd op galliumnitride in plaats van het gebruikelijke silicium.
De transistor heeft een doorlaatweerstand (‘on-resistance’) die tien tot twintig maal lager is dan die van siliciumtransistoren. Door deze lage doorlaatweerstand worden de vermogensverliezen beperkt.
Galliumnitride zorgt niet alleen voor een lagere doorlaatweerstand, maar het materiaal heeft ook een veel hogere doorslagspanning (3 miljoen volt per centimeter) dan silicium (250.000 volt per centimeter). Door deze twee eigenschappen wordt de nieuwe transistor als de basis gezien voor de ontwikkeling van vermogensschakelingen in toepassingen zoals laptops, hybride auto’s, windmolens en naar alle waarschijnlijkheid ook in schepen van de Amerikaanse marine. Deze laatste is namelijk sinds tien jaar sponsor van het onderzoek naar galliumnitride-transistoren in het Lester Eastman laboratorium van de Cornell University.
Junxia Shi, die de transistor ontwikkelde, heeft inmiddels een voorlopig patent op de transistor gekregen.
Meer info:
www.news.cornell.edu/stories/Dec09/GaNtransistor.html